晶体管mosfet 50N03 17061TDS 80N03至251电子元件更多型号

Name: 晶体管mosfet 50N03 17061TDS 80N03至251电子元件更多型号
Brand: Shenzhen Xinsheng Microelectronics Technology Co., Ltd.
SKU: 1600987356565
Price: 0.2 USD
Availability: InStock

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Shenzhen Xinsheng Microelectronics Technology Co., Ltd. 3 yrs

晶体管mosfet 50N03 17061TDS 80N03至251电子元件更多型号

重要属性

行业属性

型号

mosfet 50N03

种类

金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)

品牌

XSW

封装类型

表面贴片封装

其他属性

安装类型

描述

Transistor mosfet 50N03

原产地

Guangdong, China

封装/外壳

D/C

2SC1815

应用

electric appliance Circuit board

供应类型

原始制造商

可参考资料

Other

品名

电流 - 集电极（Ic）（最大值）

电压 - 集射极击穿（最大值）

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）

电流 - 集电极截止（最大值）

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）

功率 - 最大值

频率 - 跃迁

操作温度

安装方式

电阻器 - 基底（R1）

电阻器 - 发射极基底（R2）

FET 类型

FET 功能

漏源电压（Vdss）

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）

响应频率(Hz)

额定电流

噪声系数

功率-输出

电压-额定

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

Vgs（最大值）

IGBT 类型

配置

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）

不同 Vce 时的输入电容（Cies）

输入

NTC 热敏电阻

电压 - 击穿（V（BR）GSS）

不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）

漏极电流（Id） - 最大值

不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）

电阻 - RDS（开）

电压

电压-输出

电压 - 偏移（Vt）

电流 - 栅极至阳极漏（Igao）

电流 - 谷值（Iv）

电流 - 峰值

应用

晶体管类型

包装和发货信息

销售单位：

单一商品

单品包装尺寸：

4X3X1 厘米

单品毛重：

0.040 公斤

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