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SMD二极管2SB1203S-TL-E封装TO-252 PNP晶体管MOSFET集成电路ic

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JINYIYUAN Technology (Hong Kong) Co., Limited 1 yr HK
SMD二极管2SB1203S-TL-E封装TO-252 PNP晶体管MOSFET集成电路ic
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重要属性

行业属性

种类
PNP晶体管
品牌
FEIYANG
封装类型
表面贴片封装

其他属性

安装类型
SMD二极管
描述
SMD二极管
原产地
China
封装/外壳
SOT23-3
类型
二极管
工作环境温度
150
系列
二极管
D/C
PNP晶体管
应用
传声器
供应类型
原厂原装, ODM, 代理, 零售商, 其他
可参考资料
数据表, 照片, EDA/CAD 模型。, 其他
品名
PNP晶体管
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
飞扬
电压 - 集射极击穿（最大值）
40
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
10
电流 - 集电极截止（最大值）
10
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
10
功率 - 最大值
10
频率 - 跃迁
105
操作温度
120
安装方式
螺栓安装
电阻器 - 基底（R1）
5
电阻器 - 发射极基底（R2）
5
FET 功能
碳化硅
漏源电压（Vdss）
60
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
5
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
5
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
5
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
5
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
5
响应频率(Hz)
120
额定电流
12
噪声系数
60
功率-输出
15
电压-额定
220
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
12
Vgs（最大值）
12
IGBT 类型
10
配置
T-型
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
5
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
2
输入
2
NTC 热敏电阻
2
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
6
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
5
漏极电流（Id） - 最大值
5
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
2
电阻 - RDS（开）
2
电压
2
电压-输出
2
电压 - 偏移（Vt）
2
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
2
电流 - 谷值（Iv）
2
电流 - 峰值
2
应用
2
晶体管类型
PNP
付款
连接器t
最小起订量
1PCS
包装
SMD
装运方式
DHL
服务
24小时在线服务
提前期
5-7天
保修
1年
条件
100% 原装

包装和发货信息

Port
hongkong
销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
85X55X55 厘米
单品毛重：
1.000 公斤
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