SD1446电子元件高频管射频微波器件SD1446晶体管

Name: SD1446电子元件高频管射频微波器件SD1446晶体管
Brand: Shenzhen Keyongbang Electronics Co., Ltd.
SKU: 1600944628451
Price: 0.68 USD
Availability: InStock

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Shenzhen Keyongbang Electronics Co., Ltd. 2 yrs

重要属性

行业属性

型号

SD1446

种类

金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)

品牌

Original Brand

其他属性

安装类型

Surface Mount

描述

原产地

China

封装/外壳

M113

类型

Transistor

工作环境温度

200°C (TJ)

D/C

In-Stock

供应类型

原厂原装

可参考资料

数据表, 照片, EDA/CAD 模型。

品名

RF TRANS NPN 18V M113

电流 - 集电极（Ic）（最大值）

12A

电压 - 集射极击穿（最大值）

18V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）

1.5V @ 600mA, 6A

电流 - 集电极截止（最大值）

0.7mA

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）

10 @ 5A, 5V

功率 - 最大值

183W

频率 - 跃迁

安装方式

other

电阻器 - 基底（R1）

电阻器 - 发射极基底（R2）

FET 类型

N-Channel

漏源电压（Vdss）

600V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）

20A (Tc)

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）

290m0hm 10A,10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）

5V 250HA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）

54nC 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）

1500pF 25V

响应频率(Hz)

额定电流

噪声系数

功率-输出

电压-额定

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

Vgs（最大值）

±30V

IGBT 类型

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）

不同 Vce 时的输入电容（Cies）

输入

NTC 热敏电阻

电压 - 击穿（V（BR）GSS）

不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）

漏极电流（Id） - 最大值

18 A

不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）

电阻 - RDS（开）

52 mOhms

电压

电压-输出

电压 - 偏移（Vt）

电流 - 栅极至阳极漏（Igao）

电流 - 谷值（Iv）

电流 - 峰值

应用

other

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