QZ IRFZ44N原装MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB IRFZ44 N通道MOSFET IRFZ44NPBF

(1 review)

Shenzhen QZ Industrial Co., Ltd.

实力供应商 7 yrs

CN

QZ IRFZ44N原装MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB IRFZ44 N通道MOSFET IRFZ44NPBF

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QZ IRFZ44N原装MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB IRFZ44 N通道MOSFET IRFZ44NPBF

高性能n沟道MOSFET: QZ IRFZ44N原始MOSFET是n沟道MOSFET，适用于各种电子应用，提供高性能和可靠性。
宽工作温度范围: 该MOSFET可以在-55 °C至175 °C (Tj) 的宽温度范围内工作，使其适合恶劣环境中的应用。
高电流容量: 凭借49A @ 25 °C的连续漏极电流，该MOSFET可以处理高电流要求，使其成为电源管理和控制应用的理想选择。
低导通电阻: MOSFET的最大导通电阻 (RDS (On)) 为17.5mΩ @ 25A，10v，降低了电路中的功率损耗和发热。
原始品牌质量: 作为原始品牌产品，QZ IRFZ44N MOSFET确保高质量和可靠性，并以制造商的保修和支持为后盾。

收起

重要属性

行业属性

型号

IRFZ44NPBF

种类

金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)

品牌

Original Brand

封装类型

引脚直插式封装

其他属性

原产地

Original

封装/外壳

TO-220-3

D/C

最新的 (它是随机发货的时候)

品名

金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET) n沟道55V 49A TO-220AB

操作温度

-55 °C ~ 175 °C (TJ)

安装方式

引脚直插式封装

FET 类型

N-Channel

漏源电压（Vdss）

55V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）

49A (Tc)

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）

17.5毫欧 @ 25A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）

4V @ 250 μ a

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）

63nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）

1470pF @ 25V

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

10V

Vgs（最大值）

± 20V

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定制

供应商的产品说明

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