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QXW晶体管n沟道Mosfet 100V 42A D2PAK MOS IRF1310NS IRF1310NSTRLPBF

暂无评价
Shenzhen Qixinwei Technology Co., Ltd. 3 yrs CN
QXW晶体管n沟道Mosfet 100V 42A D2PAK MOS IRF1310NS IRF1310NSTRLPBF
QXW晶体管n沟道Mosfet 100V 42A D2PAK MOS IRF1310NS IRF1310NSTRLPBF
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重要属性

行业属性

型号
IRF1310NSTRLPBF
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
origin
封装类型
表面贴片封装

其他属性

安装类型
表面贴装
描述
MOS
原产地
origin
封装/外壳
D2PAK
类型
MOS
工作环境温度
-55 ~ + 150 ℃
系列
MOS
D/C
最新
应用
通用用途
供应类型
原始制造商
可参考资料
数据表
品名
MOSFET
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
-
电压 - 集射极击穿（最大值）
-
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
-
电流 - 集电极截止（最大值）
-
功率 - 最大值
-
频率 - 跃迁
-
操作温度
-55 ~ 150 ℃
安装方式
表面贴片封装
电阻器 - 基底（R1）
-
电阻器 - 发射极基底（R2）
-
FET 类型
MOSFET n沟道
FET 功能
标准
漏源电压（Vdss）
100V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
42A
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
36mΩ @ 10V,22A
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
4V @ 250uA
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
110nC @ 10V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1.9nF @ 25V

包装和发货信息

销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
13X8X2 厘米
单品毛重：
0.010 公斤
展开

交货时间

定制

供应商的产品说明

1 - 99 pieces
¥6.58
100 - 999 pieces
¥6.36
>= 1000 pieces
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