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PMV130 PMV130ENEA标记WJX新原装n沟道功率Mosfet晶体管40V 2.1a SOT-23

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PMV130 PMV130ENEA标记WJX新原装n沟道功率Mosfet晶体管40V 2.1a SOT-23
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重要属性

行业属性

型号
PMV130 PMV130ENEA
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
Original brand
封装类型
表面贴片封装

其他属性

描述
N-Channel Power Mosfet Transistor
原产地
China
封装/外壳
Standard
D/C
Newest date code
应用
通用用途
供应类型
原始制造商, 代理机构, 零售商
可参考资料
数据表, 照片
品名
N-Channel Power Mosfet Transistor
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
Standard
电压 - 集射极击穿(最大值)
Standard
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
Standard
电流 - 集电极截止(最大值)
Standard
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
Standard
功率 - 最大值
Standard
频率 - 跃迁
Standard
操作温度
Standard
安装方式
表面贴片封装
电阻器 - 基底(R1)
Standard
电阻器 - 发射极基底(R2)
Standard
FET 类型
Standard
FET 功能
标准
漏源电压(Vdss)
Standard
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
Standard
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
Standard
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
Standard
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
Standard
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
Standard
响应频率(Hz)
Standard
额定电流
Standard
噪声系数
Standard
功率-输出
Standard
电压-额定
Standard
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
Standard
Vgs(最大值)
Standard
IGBT 类型
Standard
配置
单排
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)
Standard
不同 Vce 时的输入电容(Cies)
Standard
输入
Standard
NTC 热敏电阻
Standard
电压 - 击穿(V(BR)GSS)
Standard
Part number
PMV130 PMV130ENEA
Date code
Newest date code
Condition
New original factory goods
Warranty
365 days
MOQ
1 pc

包装和发货信息

Packaging Details
新的和原始的标准纸箱包装。
Port
Shenzhen,HongKong,Guangzhou etc

供应能力

供应能力
1000 件 per Day

交货时间

供应商的产品说明

1 - 4 pieces
¥7.23
>= 5 pieces
¥0.2168

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