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OSG60R060HT3Z OSG60R060HT3ZF 52A 600V至247 n沟道功率MOSFET MOS IGBT新原装晶体管

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重要属性

行业属性

型号
OSG60R060HT3Z
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
Original
封装类型
引脚直插式封装

其他属性

安装类型
倾角
描述
IGBT/MOSFET
原产地
Original
封装/外壳
TO-247
类型
标准
工作环境温度
标准
系列
标准
D/C
新建
应用
不适用
供应类型
原始制造商, ODM, 代理机构, 零售商, 其他
相似属性可替代料号
标准
可参考资料
数据表, 照片, 其他
品名
OSG60R060HT3Z
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
标准
电压 - 集射极击穿(最大值)
标准
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
标准
电流 - 集电极截止(最大值)
标准
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
标准
功率 - 最大值
标准
频率 - 跃迁
标准
操作温度
Standard
安装方式
引脚直插式封装
电阻器 - 基底(R1)
标准
电阻器 - 发射极基底(R2)
标准
FET 类型
标准
FET 功能
不适用
漏源电压(Vdss)
标准
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
标准
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
标准
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
标准
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
标准
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
标准
响应频率(Hz)
标准
额定电流
标准
噪声系数
标准
功率-输出
标准
电压-额定
标准
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
标准
Vgs(最大值)
标准
IGBT 类型
标准
配置
不适用
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)
标准
不同 Vce 时的输入电容(Cies)
标准
输入
标准
NTC 热敏电阻
标准
电压 - 击穿(V(BR)GSS)
标准
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
标准
漏极电流(Id) - 最大值
标准
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)
标准
电阻 - RDS(开)
标准
电压
标准
电压-输出
标准
电压 - 偏移(Vt)
标准
电流 - 栅极至阳极漏(Igao)
标准
电流 - 谷值(Iv)
标准
电流 - 峰值
标准
应用
标准
晶体管类型
MOSFET/IGBT
产品名称
晶体管集成电路电子元件
付款
Paypal \ TT \ 西联汇款 \ 贸易保证
装运
DHL \ UPS \ Fedex \ EMS \ HK Post
包装
卷轴/托盘/管/盒
品牌
原件

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单品包装尺寸:
10X10X10 厘米
单品毛重:
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