MBRD660CTT4G MBRD660TG B660TG 660TG 252晶体管

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Shenzhen Bixinda Technology Co., Ltd. 8 yrs

CN

重要属性

行业属性

型号

MBRD660CTT4G

种类

金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)

品牌

Original Brand

其他属性

安装类型

Surface mount

描述

MBRD660CTT4G

原产地

China

封装/外壳

TO-252

应用

Common use

供应类型

代理, 零售商, Wholesaler

可参考资料

数据表, 照片

电流 - 集电极（Ic）（最大值）

Standard

电压 - 集射极击穿（最大值）

Standard

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）

Standard

电流 - 集电极截止（最大值）

Standard

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）

Standard

功率 - 最大值

Standard

频率 - 跃迁

Standard

操作温度

Standard

电阻器 - 基底（R1）

Standard

电阻器 - 发射极基底（R2）

Standard

FET 类型

Standard

漏源电压（Vdss）

Standard

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）

Standard

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）

Standard

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）

Standard

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）

Standard

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）

Standard

响应频率(Hz)

Standard

额定电流

Standard

噪声系数

Standard

Date Code

Newest

Condition

New and original

Supplier

Shenzhen Bixinda Technology Co., Ltd.

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Lead free / RoHS Compliant

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