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Jeking G3R160MT12晶体管Mosfet 1n沟道1200V 160mohm至-247-3 G3R160MT12D

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Shenzhen Jeking Electronic Corp. 实力供应商 9 yrs CN
Jeking G3R160MT12晶体管Mosfet 1n沟道1200V 160mohm至-247-3 G3R160MT12D
Jeking G3R160MT12晶体管Mosfet 1n沟道1200V 160mohm至-247-3 G3R160MT12D
Jeking G3R160MT12晶体管Mosfet 1n沟道1200V 160mohm至-247-3 G3R160MT12D

重要属性

行业属性

型号
-
品牌
-

其他属性

安装类型
-
描述
-
种类
-
原产地
Guangdong, China
封装类型
-
封装/外壳
-
工作环境温度
-
系列
-
D/C
-
应用
-
最大正向电压
--
最大反向电压
-
最大正向电流
-
最大反向电流
-
二极管类型
-
技术
-
电压 - 峰值反向（最大值）
-
电流 - 平均整流（Io）
-
不同 If 时的电压 - 正向（Vf
-
不同 Vr 时的电流 - 反向漏电流
-
操作温度
-
安装方式
-
二极管配置
-
电压 - DC 反向（Vr）（最大值）
-
电流 - 平均整流（Io）（每二极管）
-
档位
-
反向恢复时间 (trr)
-
不同 Vr，F 时的电容
-
电流 - 最大值
-
不同 If，F 时的电阻
-
功率耗散（最大值）
-
电容比
-
电容比条件
-
不同 Vr，F 时的 Q 值
-
配置
-
电压 - 齐纳（标称值）（Vz）
-
容差
-
功率 - 最大值
-
零件号
G3R160MT12D
包装/案例:
TO-247-3
最低工作温度:
-55C
最高工作温度:
+ 175C
Qg-栅极电荷:
29 nC
安装方式:
SMD/SMT
频道数量:
1频道
质量
100% 原创100% 品牌
Pd-功耗:
138瓦
Id-连续漏极电流:
17个A

包装和发货信息

销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
XX 厘米
单品毛重：
公斤
展开

交货时间

供应商的产品说明

最低起订量： 50 pieces
¥1.10-2.84

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