IGBT晶体管1200V 75A沟槽和场阻IGBT离散开关损耗到247 Plus封装，用于UPS SMPS和PFC

Name: IGBT晶体管1200V 75A沟槽和场阻IGBT离散开关损耗到247 Plus封装，用于UPS SMPS和PFC
Brand: Aiko Electronics Technology Co., Ltd.
SKU: 1601297034546
Price: 0.09 USD
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Aiko Electronics Technology Co., Ltd. 1 yr

IGBT晶体管1200V 75A沟槽和场阻IGBT离散开关损耗到247 Plus封装，用于UPS SMPS和PFC

重要属性

行业属性

型号

AKG75T120BV

种类

晶体管

品牌

AIKO

封装类型

通孔

其他属性

安装类型

通孔

描述

超高速开关和低功耗, 高输入阻抗

原产地

Zhejiang, China

封装/外壳

TO-247 PLUS

类型

IGBT晶体管

工作环境温度

-40 ℃ ~ + 175 ℃ (TJ)

系列

IGBT

应用

UPS、PFC、逆变器和焊接转换器

供应类型

原始制造商, ODM

可参考资料

数据表, 照片

品名

AKG75T120BH IGBT晶体管1200v 75A

电流 - 集电极（Ic）（最大值）

300A

电压 - 集射极击穿（最大值）

1200V

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）

2.5V

操作温度

-40 °C ~ 175 °C (TJ)

安装方式

引脚直插式封装

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）

6.4V

额定电流

75A

电压-额定

1200V

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

4.3V-6.4V

Vgs（最大值）

20V

IGBT 类型

FieldStop沟槽IGBT

配置

单联开关

不同 Vce 时的输入电容（Cies）

7300pF

漏极电流（Id） - 最大值

300A

电压-输出

1200V

电压 - 偏移（Vt）

± 20V

电流 - 谷值（Iv）

75A

电流 - 峰值

300A

应用

UPS SMPS和PFC

晶体管类型

IGBT晶体管

VCES

1200V

IC nom @ TC = 100C, Tvj max = 175C

75A

脉冲集电极电流

300A

功耗 @ TC = 25C

833瓦

输入电容

7300pF

VCE(sat)@ Tvj = 25C IC = 100A

1.9V (typ.)

开启能量损耗

5.8mJ

关闭能量损耗

2.4mJ

二极管反向恢复时间

65纳秒

栅极电荷

234nC

包装和发货信息

销售单位：

单一商品

单品包装尺寸：

23X17X7 厘米

单品毛重：

1.500 公斤

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