G60N100BNTD FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V原装大功率IGBT晶体管G60N100

Name: G60N100BNTD FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V原装大功率IGBT晶体管G60N100
Brand: Chongqing Zhongjing Mircroelectronics Technology Co.,ltd
SKU: 1601281314858
Price: 0.4 USD
Availability: InStock

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Chongqing Zhongjing Mircroelectronics Technology Co.,ltd 2 yrs

G60N100BNTD FGL60N100BNTD G60N100 60A 1000V原装大功率IGBT晶体管G60N100

重要属性

行业属性

型号

G60N100BNTD

种类

Transistor

品牌

Toshiba

封装类型

表面贴片封装

其他属性

安装类型

NPN

描述

npn transistor

原产地

Janpan

封装/外壳

TO-247

类型

NPN transistor

系列

Original Brand

D/C

Newest

应用

通用用途

供应类型

原始制造商, ODM, 代理机构, 零售商, Other

可参考资料

数据表, 照片

品名

original transistor

电流 - 集电极（Ic）（最大值）

80V

电压 - 集射极击穿（最大值）

80V

电流 - 集电极截止（最大值）

220A

功率 - 最大值

150W

安装方式

General

漏源电压（Vdss）

230V

额定电流

15A

功率-输出

150W

电压-额定

230V

IGBT 类型

NPN

电压

230V

电流 - 峰值

15A

应用

General

晶体管类型

NPN transistor

D/C

Newest

Quality

High-quality

LEAD TIME

1-2 Days

Payment

Paypal\TT\Western Union\Trade Assurance

Shipping BY

DHL\UPS\Fedex\EMS\HK Post\More

Supplier

Original

MOQ

10 Pcs

Brand

Original Toshiba

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单一商品

单品包装尺寸：

2X5X0.5 厘米

单品毛重：

0.015 公斤

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