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分立半导体AOD3N50 MOSFET

暂无评价
Shenzhen Walton Electronics Co., Ltd. 实力供应商 11 yrs CN
分立半导体AOD3N50 MOSFET

重要属性

行业属性

型号
AOD3N50
种类
/
品牌
original

其他属性

安装类型
/
描述
MOSFETs N-Ch 525V 1.2 ohm 4.4 A SuperMESH3
原产地
original
封装/外壳
/
D/C
12 +
应用
/
品名
/
电压 - 集射极击穿（最大值）
/
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
/
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
/
操作温度
/
安装方式
/
电阻器 - 基底（R1）
/
电阻器 - 发射极基底（R2）
/
FET 功能
/
漏源电压（Vdss）
/
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
/
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
/
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
/
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
/
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
/
响应频率(Hz)
/
额定电流
/
噪声系数
/
功率-输出
/
电压-额定
/
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
/
Vgs（最大值）
/
IGBT 类型
/
配置
/
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
/
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
/
输入
/
NTC 热敏电阻
/
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
/
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
/
漏极电流（Id） - 最大值
/
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
/
电阻 - RDS（开）
/
电压
/
电压-输出
/
电压 - 偏移（Vt）
/
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
/
电流 - 谷值（Iv）
/
电流 - 峰值
/
应用
/
安装方式:
SMD/SMT
包装/案例:
DPAK-3 (TO-252-3)
晶体管极性:
N通道
Vds-漏源击穿电压:
525 V
频道数量:
1频道
Id-连续漏极电流:
3.8 A

包装和发货信息

销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
20X20X20 厘米
单品毛重：
0.500 公斤
展开

交货时间

供应商的产品说明

1 - 9 pieces
¥9.14
10 - 99 pieces
¥7.47
>= 100 pieces
¥5.80

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