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BUK7107-55AIE118 BUK7107-N通道TRE D2PAK
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Shenzhen Felix Electronics Co., Ltd.
1 yr
CN
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关于本产品
包含生成的内容
高品质MOSFET器件: 该BUK7107-55AIE118是原始制造商的高品质n沟道MOSFET器件,确保了可靠的性能和长寿命。
广泛的应用范围: 该MOSFET适用于各种应用,包括MOSFET驱动器,使其成为电子爱好者和专业人士的多功能组件。
高效的电源管理: 该MOSFET具有低RDS(on) 和高额定电流,可实现高效的电源管理和散热,非常适合要求苛刻的应用。
用户友好的SMT/SMD安装: 该器件具有标准的SMT/SMD安装类型,可根据用户的喜好轻松集成到各种电路板和设计中。
全面的文档: 该产品随附数据表,为用户提供详细信息,以确保正确使用和将BUK7107-55AIE118集成到他们的项目中。
收起
重要属性
行业属性
型号
BUK7107-55AIE118
种类
MOSFET
品牌
Original brand
封装类型
表面贴片封装
其他属性
安装类型
SMT/SMD
描述
MOSFET
原产地
Original
封装/外壳
标准
工作环境温度
标准
系列
所有类型的晶体管
D/C
新建
应用
MOSFET 驱动器
供应类型
原厂原装
相似属性可替代料号
/
可参考资料
数据表
品名
晶体管
电流 - 集电极(Ic)(最大值)
标准
电压 - 集射极击穿(最大值)
标准
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
标准
电流 - 集电极截止(最大值)
标准
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
标准
功率 - 最大值
标准
频率 - 跃迁
标准
操作温度
标准
安装方式
标准
电阻器 - 基底(R1)
标准
电阻器 - 发射极基底(R2)
标准
FET 类型
标准
FET 功能
标准
漏源电压(Vdss)
标准
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
标准
不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
标准
不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
标准
不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
标准
不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
标准
响应频率(Hz)
标准
额定电流
标准
噪声系数
标准
功率-输出
标准
电压-额定
标准
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
标准
Vgs(最大值)
标准
IGBT 类型
标准
配置
标准
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)
标准
不同 Vce 时的输入电容(Cies)
标准
输入
标准
NTC 热敏电阻
标准
电压 - 击穿(V(BR)GSS)
标准
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
标准
漏极电流(Id) - 最大值
标准
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)
标准
电阻 - RDS(开)
标准
电压
标准
电压-输出
标准
电压 - 偏移(Vt)
标准
电流 - 栅极至阳极漏(Igao)
标准
电流 - 谷值(Iv)
标准
电流 - 峰值
标准
应用
标准
晶体管类型
标准
展开
交货时间
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> 10000
美国东部时间(天)
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