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BOM服务电子元件FQA38N30 38A 300V IGBT晶体管CS38N30 Mosfet驱动器,适用于各种应用
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Shenzhen Yingsitai Electronics Co., Ltd.
实力供应商
1 yr
CN
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关于本产品
包含生成的内容
用于各种应用的大功率IGBT晶体管: 该产品是大功率IGBT晶体管,专门设计用于各种应用,包括MOSFET驱动器。
高电流和电压额定值: 该晶体管具有38A的额定电流和300v的额定电压,适用于需要高功率处理的苛刻应用。
通孔安装类型: 晶体管具有通孔安装类型,可轻松安装并牢固连接到PCB。
符合原始规格: 产品遵循原始规格,确保可靠的性能和与各种系统的兼容性。
提供数据表和照片媒体: 产品附带数据表和照片媒体,为用户提供全面的信息,便于集成和故障排除。
收起
重要属性
行业属性
型号
FQA38N30
种类
IGBT晶体管
品牌
CS
封装类型
引脚直插式封装
其他属性
安装类型
Throught Hole
描述
38A 300V IGBT
原产地
CHIAN
封装/外壳
TO-3P
D/C
NEWEST
应用
MOSFET 驱动器
供应类型
Other
可参考资料
数据表, 照片, Other
品名
IGBT
电压 - 集射极击穿(最大值)
/
不同 Ib,Ic 时的 Vce 饱和值(最大值)
/
不同 Ic,Vce 时的 DC 电流增益(hFE)(最小值)
/
操作温度
/
安装方式
/
电阻器 - 基底(R1)
/
电阻器 - 发射极基底(R2)
/
漏源电压(Vdss)
/
电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
/
功率-输出
ORIGINAL
电压-额定
ORIGINAL
驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
ORIGINAL
Vgs(最大值)
ORIGINAL
IGBT 类型
ORIGINAL
不同 Vge,Ic 时的 Vce(on)
/
不同 Vce 时的输入电容(Cies)
/
输入
/
NTC 热敏电阻
/
电压 - 击穿(V(BR)GSS)
/
不同 Vds(Vgs=0)时的电流 - 漏极(Idss)
/
漏极电流(Id) - 最大值
/
不同 Id 时的电压 - 截止(VGS 关)
/
电阻 - RDS(开)
/
电压
/
电压-输出
/
电压 - 偏移(Vt)
ORIGINAL
电流 - 栅极至阳极漏(Igao)
ORIGINAL
电流 - 谷值(Iv)
ORIGINAL
电流 - 峰值
ORIGINAL
应用
ORIGINAL
展开
交货时间
数量 (pieces)
1 - 1000
> 1000
美国东部时间(天)
3
待定
供应商的产品说明
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