4606 4606 SO-8 MOSFET二极管三极管晶体管

Name: 4606 4606 SO-8 MOSFET二极管三极管晶体管
Brand: Shenzhen Yimaoxun Technology Co., Ltd.
SKU: 1600591757293
Price: 0.45 USD
Availability: InStock

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Shenzhen Yimaoxun Technology Co., Ltd. 3 yrs

重要属性

行业属性

型号

4606

种类

金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)

品牌

YMX

封装类型

表面贴片封装

其他属性

原产地

Guangdong, China

封装/外壳

应用

传声器

供应类型

原始制造商, 代理机构, 零售商, Other

可参考资料

数据表, 照片, EDA/CAD 模型。, Other

品名

MOS

电流 - 集电极（Ic）（最大值）

电压 - 集射极击穿（最大值）

不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）

电流 - 集电极截止（最大值）

不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）

功率 - 最大值

频率 - 跃迁

电阻器 - 基底（R1）

电阻器 - 发射极基底（R2）

FET 类型

FET 功能

碳化硅

漏源电压（Vdss）

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）

不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）

响应频率(Hz)

额定电流

噪声系数

功率-输出

电压-额定

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）

Vgs（最大值）

IGBT 类型

配置

单排

不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）

不同 Vce 时的输入电容（Cies）

输入

NTC 热敏电阻

电压 - 击穿（V（BR）GSS）

不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）

漏极电流（Id） - 最大值

不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）

电阻 - RDS（开）

电压

电压-输出

电压 - 偏移（Vt）

电流 - 栅极至阳极漏（Igao）

电流 - 谷值（Iv）

电流 - 峰值

应用

包装和发货信息

Packaging Details

$ k1 $ 参数 $ k1 $ 封装 $ k1 $ 参数数据 $ k1 $ PDF数据 $ k1 $ 规范的参数 $ k1 $ PDF数据书 $ k1 $ 中文材料规范 $ k1 $ 引脚定义 $ k1 $ 引脚图 $ k1 $ 引脚 $ k1 $ 电路原理 $ k1 $ 功能引入 $ k1 $ 应用电路图 $ k1 $ 功能 $ k1 $ 替换模型 $ k1 $ 替代模型 $ k1 $ 应用案例 $ k1 $ 函数引入 $ k1 $ 角色
$ k1 $ 丝网印刷 $ k1 $ 批发 $ k1 $ 供应商 $ k1 $ 图片 $ k1 $ 规格
$ k1 $ 芯片 $ k1 $ 现货 $ k1 $ 逻辑设备

销售单位：

单一商品

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