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2SD797至-3 2SD797 MOSFET二极管三极管晶体管

暂无评价
Shenzhen Yimaoxun Technology Co., Ltd. 3 yrs CN
2SD797至-3 2SD797 MOSFET二极管三极管晶体管
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2SD797至-3 2SD797 MOSFET二极管三极管晶体管

重要属性

行业属性

型号
2SD797
种类
金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)
品牌
YMX
封装类型
表面贴片封装

其他属性

原产地
Guangdong, China
封装/外壳
1
应用
传声器
供应类型
原始制造商, 代理机构, 零售商, Other
相似属性可替代料号
2SD797
可参考资料
数据表, 照片, EDA/CAD 模型。, Other
品名
MOS
电流 - 集电极（Ic）（最大值）
1
电压 - 集射极击穿（最大值）
1
不同 Ib，Ic 时的 Vce 饱和值（最大值）
1
电流 - 集电极截止（最大值）
1
不同 Ic，Vce 时的 DC 电流增益（hFE）（最小值）
1
功率 - 最大值
1
频率 - 跃迁
1
电阻器 - 基底（R1）
1
电阻器 - 发射极基底（R2）
1
FET 类型
1
FET 功能
碳化硅
漏源电压（Vdss）
1
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
1
不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
1
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
1
不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
1
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
1
响应频率(Hz)
1
额定电流
1
噪声系数
1
功率-输出
1
电压-额定
1
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
1
Vgs（最大值）
1
IGBT 类型
1
配置
单排
不同 Vge，Ic 时的 Vce（on）
1
不同 Vce 时的输入电容（Cies）
1
输入
1
NTC 热敏电阻
1
电压 - 击穿（V（BR）GSS）
1
不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）
1
漏极电流（Id） - 最大值
1
不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）
1
电阻 - RDS（开）
1
电压
1
电压-输出
1
电压 - 偏移（Vt）
1
电流 - 栅极至阳极漏（Igao）
1
电流 - 谷值（Iv）
1
电流 - 峰值
1
应用
1

包装和发货信息

销售单位：
单一商品
单品包装尺寸：
1.00X1.00X1.00 厘米
单品毛重：
0.001 公斤
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交货时间

供应商的产品说明

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¥3.61
99996 - 99996 packs
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99997 - 99997 packs
¥3.47
>= 99998 packs
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